Circuitul de driver de semiconductor de putere este o subcategorie importantă de circuite integrate, puternic, utilizat pentru circuitele integrate de driver IGBT, pe lângă furnizarea nivelului și curentului de unitate, adesea cu funcții de protecție a unității, inclusiv protecție la scurtcircuit la desaturare, oprire la subtensiune, clemă Miller, oprire în două etape , oprire soft, SRC (controlul ratei de mișcare), etc. Produsele au, de asemenea, diferite niveluri de performanță de izolație.Cu toate acestea, ca circuit integrat, pachetul său determină consumul maxim de energie, curentul de ieșire al driverului IC poate fi mai mare de 10A în unele cazuri, dar încă nu poate satisface nevoile de conducere ale modulelor IGBT cu curent ridicat, această lucrare va discuta despre conducerea IGBT. expansiunea curentă și curentă.
Cum se extinde curentul driverului
Când trebuie crescut curentul de antrenare sau când conduceți IGBT-uri cu curent mare și capacitate mare de poartă, este necesar să extindeți curentul pentru IC driver.
Folosind tranzistori bipolari
Cel mai tipic design al driverului de poartă IGBT este de a realiza extinderea curentului prin utilizarea emițătorului de urmărire complementar.Curentul de ieșire al tranzistorului urmăritor emițător este determinat de câștigul DC al tranzistorului hFE sau β și curentul de bază IB, atunci când curentul necesar pentru a conduce IGBT este mai mare decât IB*β, atunci tranzistorul va intra în zona de lucru liniară și ieșirea curentul de antrenare este insuficient, atunci viteza de încărcare și descărcare a condensatorului IGBT va deveni mai lentă și pierderile IGBT vor crește.
Folosind MOSFET-uri
MOSFET-urile pot fi utilizate și pentru extinderea curentului a driverului, circuitul este în general compus din PMOS + NMOS, dar nivelul logic al structurii circuitului este opusul tranzistorului push-pull.Designul sursei PMOS a tubului superior este conectat la sursa de alimentare pozitivă, poarta este mai mică decât sursa unei date PMOS de tensiune pornite, iar ieșirea IC a driverului este în general pornită la nivel înalt, astfel încât utilizarea structurii PMOS + NMOS poate necesita un invertor în proiectare.
Cu tranzistori bipolari sau MOSFET-uri?
(1) Diferențele de eficiență, de obicei în aplicațiile de mare putere, frecvența de comutare nu este foarte mare, astfel încât pierderea prin conducție este principală, atunci când tranzistorul are avantajul.Multe modele actuale cu densitate mare de putere, cum ar fi acționările cu motor pentru vehicule electrice, unde disiparea căldurii este dificilă și temperaturile sunt ridicate în carcasa închisă, când eficiența este foarte importantă și pot fi alese circuite de tranzistori.
(2) Ieșirea soluției de tranzistor bipolar are o cădere de tensiune cauzată de VCE (sat), tensiunea de alimentare trebuie crescută pentru a compensa tubul de antrenare VCE (sat) pentru a obține o tensiune de comandă de 15 V, în timp ce soluția MOSFET poate atinge aproape o ieșire de la șină la șină.
(3) Tensiune de rezistență MOSFET, VGS doar aproximativ 20 V, care poate fi o problemă care necesită atenție atunci când se utilizează surse de alimentare pozitive și negative.
(4) MOSFET-urile au un coeficient de temperatură negativ de Rds(on), în timp ce tranzistoarele bipolare au un coeficient de temperatură pozitiv, iar MOSFET-urile au o problemă de evaporare termică atunci când sunt conectate în paralel.
(5) Dacă conduceți MOSFET-uri Si/SiC, viteza de comutare a tranzistoarelor bipolare este de obicei mai lentă decât MOSFET-urile obiectului de comandă, care ar trebui să fie luate în considerare pentru a utiliza MOSFET-uri pentru a extinde curentul.
(6) Robustețea etajului de intrare la ESD și la supratensiune, joncțiunea PN a tranzistorului bipolar are un avantaj semnificativ în comparație cu oxidul de poartă MOS.
Tranzistoarele bipolare și caracteristicile MOSFET nu sunt aceleași, ce să folosiți sau trebuie să decideți singur în conformitate cu cerințele de proiectare a sistemului.
Informații rapide despre NeoDen
① Înființată în 2010, peste 200 de angajați, peste 8000 mp.fabrică.
② Produse NeoDen: Mașină PNP seria Smart, NeoDen K1830, NeoDen4, NeoDen3V, NeoDen7, NeoDen6, TM220A, TM240A, TM245P, cuptor de reflux IN6, IN12, imprimantă pentru pastă de lipit FP2636, PM30406.,
③ Peste 10000 de clienți de succes din întreaga lume.
④ Peste 30 de agenți globali acoperiți în Asia, Europa, America, Oceania și Africa.
⑤ Centrul de cercetare și dezvoltare: 3 departamente de cercetare și dezvoltare cu peste 25 de ingineri profesioniști de cercetare și dezvoltare.
⑥ Listat cu CE și a primit peste 50 de brevete.
⑦ Peste 30 de ingineri de control al calității și asistență tehnică, peste 15 ani de vânzări internaționale, clienții care răspund în timp util în 8 ore, soluții profesionale care oferă în 24 de ore.
Ora postării: 17-mai-2022